１．GaNデバイスの概要
２．ドライブ回路の設計と評価
３．高速スイッチングにおける留意点
４．総合実習
５．まとめ
≪担当予定講師≫
レムフクラフト
コース番号 T0051 【New】 実習で学ぶＧａＮデバイス活用技術
訓練日程
2/18(木)～2/19(金)
実施時間帯
10:00～16:45
（昼休憩45分）
総訓練時間
12時間
受講料
20,000円
定員
12名
対象者
～これからGaNデバイスを学ぼうとする方に最適～
電子回路の設計・開発等に従事される方
≪訓練内容の概要≫
GaNデバイスは、従来のSiデバイスと比較し、高速・高効率動作が可能な省電力化に対応した次世代デバイスで、産業機器から自動車、医療機器まで様々な分野への応用が広まってきています。本コースでは、GaNデバイスの特性や動作原理を理解するとともに、GaNデバイスの活用に必要となるドライブ回路の設計から応用回路設計・評価法について、実習を通して習得します。
電子回路の設計・開発等に従事される方
≪訓練内容の概要≫
GaNデバイスは、従来のSiデバイスと比較し、高速・高効率動作が可能な省電力化に対応した次世代デバイスで、産業機器から自動車、医療機器まで様々な分野への応用が広まってきています。本コースでは、GaNデバイスの特性や動作原理を理解するとともに、GaNデバイスの活用に必要となるドライブ回路の設計から応用回路設計・評価法について、実習を通して習得します。
訓練内容
使用機器・教材
実習基板、オシロスコープ、ファンクションジェネレータ、電流プローブ、差動プローブ、電子負荷
持参品・服装
実施場所
高度ポリテクセンター
備考
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